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机译:磁场中通过场效应晶体管进行太赫兹辐射检测
Boubanga-Tombet, S.; Sakowicz, M.; Coquillat, D.; Teppe, F.; Knap, W.; Dyakonov, Michel; Karpierz, K.; Lusakowski, J.; Grynberg, M.;
机译:磁场中场效应晶体管对太赫兹辐射的检测
机译:磁场对高电子迁移率晶体管中太赫兹辐射检测的影响
机译:在强磁场中通过双栅栅晶体管进行太赫兹辐射检测
机译:用于太赫兹检测的数字和紧凑型场效应晶体管模型经过验证
机译:利用未冷却场效应晶体管的THz检测器被动检测和成像人体辐射
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)的组合,可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区(SCR)的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应
机译:结合使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET),可通过改变流经MOSFET的电流来调节电流电压响应或减轻电磁干扰或辐射干扰效应
机译:通过使用不连续边缘效应增强亚波长区域中TERAHERTZ(THZ)辐射的局部电磁场的方法以及辐射与材料的耦合增强
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